半導(dǎo)體單晶硅材料供應(yīng)商錦州神工半導(dǎo)體股份有限公司（簡稱“神工股份”）科創(chuàng)板首發(fā)上市申請近日獲得通過。神工股份以集成電路刻蝕用單晶硅材料為切入點，進入全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈體系，形成了獨特競爭優(yōu)勢。

　　公司表示，未來將持續(xù)增加研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化投入，逐步進入市場空間更為廣闊的芯片用單晶硅材料市場，致力成為半導(dǎo)體級單晶硅材料領(lǐng)域的領(lǐng)先者。

　　瞄準單晶硅領(lǐng)域

　　半導(dǎo)體是現(xiàn)代信息技術(shù)的基礎(chǔ)性、先導(dǎo)性和戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)。半導(dǎo)體材料主要應(yīng)用于晶圓制造與封裝。相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，2018年全球半導(dǎo)體材料銷售額達519億美元。其中，半導(dǎo)體制造材料市場規(guī)模322億美元，封裝材料市場規(guī)模197億美元。

　　半導(dǎo)體硅材料主要為單晶硅材料。按照應(yīng)用場景劃分，半導(dǎo)體硅材料分為芯片用單晶硅材料和刻蝕用單晶硅材料。神工股份目前主營集成電路刻蝕用單晶硅材料的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，主要產(chǎn)品為大尺寸高純度集成電路刻蝕用單晶硅材料。

　　招股說明書顯示，神工股份在集成電路刻蝕用單晶硅材料領(lǐng)域已建立完整的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售體系，產(chǎn)品質(zhì)量達到國際先進水平，可滿足7nm先進制程芯片制造刻蝕環(huán)節(jié)對硅材料的工藝要求。公司生產(chǎn)的集成電路刻蝕用單晶硅材料尺寸范圍覆蓋8英寸至19英寸。其中，14英寸以上產(chǎn)品占比超過90%。

　　在刻蝕設(shè)備硅電極制造所需集成電路刻蝕用硅材料細分領(lǐng)域，神工股份在產(chǎn)品成本、良品率、參數(shù)一致性和產(chǎn)能規(guī)模等方面具備較明顯的競爭優(yōu)勢，細分市場占有率不斷上升。公司已成功進入國際先進半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)鏈體系。神工股份調(diào)研估算，全球刻蝕用單晶硅材料市場規(guī)模約1500噸至1800噸，公司2018年市場占有率約13%至15%。

　　招股說明書顯示，神工股份主要客戶包括三菱材料、SK化學(xué)、CoorsTek、Hana、Silfex等國際知名刻蝕用硅電極制造企業(yè)。自2015年開始，神工股份量產(chǎn)單晶硅材料尺寸主要為14英寸以上產(chǎn)品，產(chǎn)品主要應(yīng)用于全球12英寸先進制程集成電路制造，是國內(nèi)極少數(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)大尺寸、高純度集成電路刻蝕用單晶硅材料穩(wěn)定量產(chǎn)的企業(yè)之一。

　　具備技術(shù)優(yōu)勢

　　半導(dǎo)體級單晶硅材料行業(yè)技術(shù)壁壘較高。半導(dǎo)體級單晶硅材料質(zhì)量優(yōu)劣的評價標準主要包括晶體尺寸、缺陷密度、元素含量、元素分布均勻性等一系列參數(shù)指標。實際生產(chǎn)過程中，除了熱場設(shè)計、原材料高純度化處理外，需要匹配各類參數(shù)并把握晶體成長窗口期以控制固液共存界面形狀。企業(yè)建立競爭力需要長時間的經(jīng)驗積累及技術(shù)積淀。

　　招股說明書顯示，神工股份突破并優(yōu)化了多項關(guān)鍵技術(shù)，構(gòu)建了較高的技術(shù)壁壘。公司擁有的無磁場大直徑單晶硅制造技術(shù)、固液共存界面控制技術(shù)、熱場尺寸優(yōu)化工藝等技術(shù)處于國際先進水平。公司已成功進入國際先進半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)鏈體系，并在相關(guān)細分領(lǐng)域形成了全球化優(yōu)勢。

　　公司主要領(lǐng)先技術(shù)成果方面，在無磁場輔助條件下，以28英寸小熱場高良率成長出16英寸以上（晶向指數(shù)100）的超大直徑單晶體；實現(xiàn)量產(chǎn)70-80ohm/cm超窄電阻率、高面內(nèi)均勻性的18英寸單晶體；率先實現(xiàn)19英寸（晶向指數(shù)100）單晶體量產(chǎn)；成功研發(fā)業(yè)內(nèi)首批17英寸（晶向指數(shù)111）硅單晶體；成功研發(fā)在無磁場輔助下芯片用的8英寸晶體的低缺陷成長技術(shù)等。

　　此前，中國電子材料行業(yè)協(xié)會對神工股份“半導(dǎo)體刻蝕機用無磁場28吋熱場量產(chǎn)19吋硅單晶技術(shù)”的集中評審鑒定中認為，其優(yōu)化了相關(guān)熱系統(tǒng)設(shè)計、晶體生長工藝，改善了固液界面的控制，實現(xiàn)了無磁場條件下利用28英寸熱系統(tǒng)生長19英寸直拉硅單晶，良品率高、成本低、徑向電阻率均勻性好，并能大規(guī)模穩(wěn)定量產(chǎn)。該技術(shù)填補了國內(nèi)空白，達到國際先進水平。

　　在回復(fù)上交所第二輪問詢時，神工股份表示，芯片線寬是芯片制造工藝可達到的最小溝道長度，是集成電路生產(chǎn)工藝先進水平的主要指標。隨著芯片線寬的縮減，芯片制造工藝中對芯片制造所需各類材料的純度要求將更加嚴格，芯片制造任何環(huán)節(jié)極其微小材料雜質(zhì)混入，都會影響芯片的性能及最終的良率水平。芯片制程越小，對刻蝕用單晶硅電極的純度要求更高。

　　神工股份表示，公司生產(chǎn)環(huán)節(jié)涉及半導(dǎo)體材料學(xué)、晶體結(jié)構(gòu)學(xué)、熱力學(xué)、流體力學(xué)、無機化學(xué)、自動控制學(xué)等多學(xué)科知識的綜合運用，技術(shù)難度較高。隨著刻蝕用單晶硅材料尺寸擴大，對相關(guān)工藝技術(shù)、設(shè)備、材料的要求越高，生產(chǎn)參數(shù)的定制化設(shè)定和動態(tài)控制難度會進一步提升。目前，公司產(chǎn)品量產(chǎn)尺寸最大可達19英寸，2018年度公司14英寸以上刻蝕用單晶硅材料銷售占比達96.13%，公司產(chǎn)品主要應(yīng)用于12英寸硅片刻蝕，對應(yīng)的芯片線寬主要為45nm至7nm。公司主要客戶均為全球范圍知名刻蝕用硅電極制造企業(yè)。上述客戶對供應(yīng)商執(zhí)行嚴格的考察和認證程序，認證周期較長。同時，主要客戶不斷擴大對公司的采購規(guī)模，體現(xiàn)客戶對公司產(chǎn)品質(zhì)量的高度認可。

　　豐富產(chǎn)品結(jié)構(gòu)

　　神工股份本次計劃募集資金扣除發(fā)行費用后全部用于8英寸半導(dǎo)體級硅單晶拋光片生產(chǎn)建設(shè)項目和研發(fā)中心建設(shè)項目，總投資11.02億元。

　　具體來看，8英寸半導(dǎo)體級硅單晶拋光片生產(chǎn)建設(shè)項目總投資預(yù)算8.69億元，具備年產(chǎn)180萬片8英寸半導(dǎo)體級硅單晶拋光片以及36萬片半導(dǎo)體級硅單晶陪片的產(chǎn)能規(guī)模。

　　神工股份表示，該項目擬利用技術(shù)等級更高的單晶生長設(shè)備生產(chǎn)單晶硅拋光片。目前，我國8英寸以上半導(dǎo)體級硅單晶拋光片亟待國產(chǎn)化，市場空間較大，行業(yè)前景預(yù)期廣闊。該項目是對公司現(xiàn)有產(chǎn)品線的拓展，實施成功后公司將進入芯片用單晶硅片行業(yè)。

　　研發(fā)中心建設(shè)項目總投資預(yù)算2.33億元，建成后將主要開展超大直徑晶體、芯片用低缺陷晶體、硅片超平坦加工和清洗技術(shù)、硅片質(zhì)量評價分析技術(shù)等的研發(fā)。

　　神工股份表示，未來將進一步提升刻蝕用半導(dǎo)體級單晶硅材料產(chǎn)品的性價比水平，在維護現(xiàn)有市場份額的同時不斷開拓新市場；持續(xù)增加在芯片用半導(dǎo)體級單晶硅材料領(lǐng)域的研發(fā)投入，同時保持與國內(nèi)外下游客戶的密切溝通，為下游客戶提供符合行業(yè)標準且具有較高性價比的芯片用半導(dǎo)體級單晶硅材料。